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▲ 삼성전자 서초사옥 ⓒ스카이데일리
삼성전자는 세계 최초로 20나노(1나노: 10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다.
20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞추어 양산을 시작한 차세대 제품으로 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품이다.
특히 삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있다.
또한 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 '20나노 D램 시대'를 주도할 풀 라인업을 구축했다.
이에 삼성전자는 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 세계 최초로 양산을 시작한 TSV기술을 접목함으로써 최대 128기가바이트의 모듈을 공급할 수 있게 되었다.
이에 삼성전자는 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 세계 최초로 양산을 시작한 TSV기술을 접목함으로써 최대 128기가바이트의 모듈을 공급할 수 있게 되었다.
더불어 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 갈 계획이다.
한편 삼성전자 관계자는 “이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소를 모두 만족시킨 제품으로 향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것"이라고 말했다.
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