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삼성전자가 초격차 D램 기술을 개발해 미세화 한계를 또 한 번 돌파했다.
삼성전자는 20일 역대 최고 수준 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’을 양산한다고 밝혔다. 삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 (1나노·10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.
지난해 2월 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월 만에 또 다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
이번 양산에 성공한 이번 2세대 10나노급 D램은 2012년 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량·속도·소비전력효율이 2배 향상됐다. 삼성전자는 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △초고속·초절전·초소형 회로 설계 △초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 △2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
삼성전자는 이러한 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다. 차세대 빅데이터 분석, 인공지능(AI) 시장에 최적화된 고성능 D램 솔루션을 제공할 방침이다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것이다”고 강조했다.
[유은주 기자 / 판단이 깊은 신문 ⓒ스카이데일리]
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