SK하이닉스, 세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시

이 시간 주요기사

뉴스 > #E fact > 전기·전자·통신

‘LPDDR5X’ 발표 2개월 만에 13% 빠른 신제품 개발 성공
HKMG 공정 적용 성능 극대화… “업계 게임 체인저 될 것”

양준규 기자 기자페이지 + 입력 2023-01-25 10:16:55

▲ SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발했다. (SK하이닉스 제공)

SK하이닉스가 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술로 현존하는 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다. 회사는 이번 신제품의 동작 속도를 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps까지 높였다. 이처럼 최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 회사는 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보’를 붙여 제품명을 지었다.

또한 LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V에서 작동한다. 회사 측은 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품이라고 강조했다.

SK하이닉스는 “당사는 초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다”며 “앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것”이라고 밝혔다.

실제로 최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 이는 FHD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.

SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG’ 공정을 적용했다. HKMG는 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스는 “HKMG 공정 기술력을 통해 신제품이 최고의 성능을 갖추게 됐다”며 “다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 이 시장을 주도해 갈 것”이라고 자신했다.

정보통신(IT) 업계에서는 앞으로 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도·용량·저전력 등 모든 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다.

이런 흐름에서 SK하이닉스는 이번 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝, 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

양준규 기자 jgyang@skyedaily.com 기자페이지 +