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삼성전자의 미국 반도체 보조금 규모가 확정됐다. 삼성전자는 미국 정부로부터 9조 원에 가까운 지원금을 수령할 예정이다.
지나 러몬도 미국 상무부 장관은 15일(현지 시간) 반도체법에 의거해 삼성전자의 텍사스 첨단 반도체 공장 투자에 보조금 64억 달러(약 8조9606억 원)를 제공할 예정이라고 밝혔다.
러몬도 장관은 “조 바이든 대통령의 인베스트 인 아메리카 의제에 따라 또 한 번의 역사적 투자를 기념하게 됐다”며 “이로써 세계 최첨단 반도체가 미국에서 생산될 것”이라고 말했다.
미·중 갈등이 본격화되고 첨단 기술 분야에서 기술 패권 경쟁이 심화되면서 ‘첨단 산업의 쌀’로 불리는 반도체의 중요성 역시 날이 갈수록 커지고 있다.
이에 미국 정부는 반도체 사업을 국가 핵심 산업으로 인식하고 미국 내 반도체 생산 거점 투자를 유도하기 위해 반도체법을 입법한 바 있다. 미국 정부는 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체의 20%를 자국에서 생산할 계획이다.
미국 정부는 자국 반도체 기업 인텔에 85억 달러(약 11조8009억 원)의 보조금을 지급했으며 대만 반도체 기업 TSMC에는 66억 달러(약 9조2406억 원)의 보조금을 지급했다. 여기에 삼성전자에도 TSMC와 비슷한 규모의 보조금을 지급하며 반도체 기업 유치에 힘쓰고 있다.
기존에 삼성전자가 수령할 것으로 예상된 보조금은 20억~30억 달러 수준이었으나 실제 지급된 보조금은 2~3배 규모로 커졌다. 이는 삼성전자가 추가 투자를 결정함에 따라 미국 정부 또한 보조금 규모를 확대한 것으로 해석된다.
삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러를 투자해 반도체 공장을 건설하고 있다. 완성 시점은 올해 하반기로 예상된다. 삼성전자는 테일러 공장의 규모를 확대해 2030년까지 총 450억 달러를 투자할 계획이다.
삼성전자는 첫 번째 테일러 공장에서 2026년부터 4나노미터와 2나노미터 반도체를 생산할 예정이며 두 번째 공장은 2027년부터 첨단 반도체를 양산할 계획이다. 반도체 연구·개발 팹의 경우 2027년부터 운영할 예정이다.
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