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12일 삼성전자에 따르면 삼성전자는 올해 4월 ‘TLC 9세대 V낸드’를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 양산에 들어가면서 고용량·고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 했다.
TLC(Triple Level Cell)는 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.
삼성 9세대 V낸드는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해낸 것이다.
특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 자랑한다는 것이 삼성 측의 설명이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능·고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS·PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.
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