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삼성전자가 세계 최초로 파운드리 3나노 공정 양산에 돌입한다. 삼성전자가 기술력 초격차를 통해 대만 TSMC와의 경쟁에서 돌파구를 찾을 수 있을지 주목된다.
22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중으로 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정 양산을 공식 발표할 것으로 보인다.
GAA는 기존 핀펫 대비 칩 면적과 소비 전력은 감소시키되 오히려 성능은 높인 신기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 통해 올해 상반기 내에 3나노 양산을 목표로 해왔다. 이는 하반기 양산을 목표로 하는 대만 TSMC 보다 빠른 페이스다.
그동안 업계에서는 수율 문제로 삼성전자가 3나노 공정을 연기할 수 있다는 관측이 나왔다. 삼성전자 파운드리 사업은 오랫동안 수율 문제에 시달려 왔다. 글로벌 구매사들이 원하는 수율 수준을 만족시키지 못하며 고객사 이탈 문제가 발생한 것이다. 하지만 다음주 중 3나노 양산이 가시화됨에 따라 삼성전자가 수율 문제를 어느 정도 해결한 것으로 분석된다.
삼성전자 관계자는 “관련 부서에 확인한 결과 상반기 내 3나노 공정 양산이 문제없이 진행되고 있다고 들었다”며 “열흘 내에 추가적인 발표가 있을 것”이라고 귀띔했다.
삼성전자는 지난달 발표한 ‘성장 비전’에서 반도체 사업을 핵심 성장 먹거리로 설정하고 반도체 초강대국 달성을 주도한다는 목표를 밝힌 바 있다.
삼성전자는 메모리 분야에서는 세계 1위를 굳건히 지키고 있으나 반대로 파운드리 분야에서는 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC의 아성을 넘지 못하고 있다. 올해 1분기 파운드리 시장 점유율을 살펴보면 TSMC는 53.6%를 차지해 16.3%를 기록한 삼성전자를 크게 앞서고 있는 형국이다.
이재용 삼성전자 부회장은 지난 18일 유럽 출장을 마치고 귀국하면서 “첫째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조하며 기술력을 통해 경쟁에서 앞서나가겠다는 포부를 밝힌 바 있다.
삼성전자는 파운드리 시장의 흐름을 바꿀 반전 카드로 초미세 공정 기술력에 집중해왔다. 최첨단 공정에서 TSMC보다 앞선 기술력을 입증할 수 있다면 파운드리 고객사의 인식에도 변화가 있을 것으로 예상된다. 실제로 삼성은 3나노 공정 고객사를 이미 확보한 것으로 알려졌다.
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